产品详情
射频（RF）氮化镓（GaN）供给链仍由集成器材制作商（IDM）主导，微弱的军事国防需求、我国本乡化战略以及职业整合正重塑全球竞赛格式。
现在的5G通讯和未来的6G通讯推进了移动电子设备对集成射频前端（RFFE）的需求。在基础设施范畴，5G大规模多输入多输出（MIMO）天线需求GaN器材——其正逐渐替代LDMOS，用于功率放大器（PA）。军事国防体系依靠宽带和高频RF器材，GaN在雷达、电子战和卫星通讯范畴的使用日益添加。
本陈述剖析了2025年至2031年RF GaN供给链及技能开展的新趋势。依据Yole猜测，RF GaN商场规模将从2025年的13亿美元添加至2031年的24亿美元，复合年添加率（CAGR）为11%。
电信基础设施：2025年在GaN器材总商场中占比约40%，估计到2031年将添加约11%。东南亚正持续布置5G基础设施，基站正进行晋级以进步功率，6G有望在这个十年底面世。碳化硅衬底上氮化镓（GaN-on-SiC）仍是干流技能。
移动范畴：砷化镓（GaAs）在移动电子设备的7 GHz以下频段PA中占有主导地位。鉴于硅衬底上氮化镓（GaN-on-Si）现在的大规模使用现状，其不太或许在FR1手机功率放大器商场上成为GaAs的竞赛对手。但是，跟着立刻就要降临的FR3网络布置，当频率超越10 GHz时，GaN-on-Si在提高功率功率以及完成潜在更宽频段运转方面或许具有吸引力。
国防范畴：估计2031年国防RF GaN商场将添加约10%。军用雷达和电子战是首要添加驱动力，相关研讨触及金刚石衬底上氮化镓（GaN-on-diamond）。
卫星通讯：GaN器材大多数都用在地上甚小孔径终端体系，正从GaAs不断发掘商场占有率。卫星发射次数的添加或许会推进RF GaN器材在低地球轨迹卫星中的使用。
到2026年，RF GaN供给链仍以IDM厂商为中心，由代工厂、无晶圆厂企业和外延片供货商供给支撑，其开展遭到苛刻的军事国防及高功率电信需求的推进。2025年的RF GaN器材商场会集度较高，SEDI、Qorvo和MACOM占有了近一半的商场营收。MACOM已取得HRL公司40 nm T3L GaN-on-SiC技能的授权。相比之下，因为电信需求疲软，恩智浦半导体（NXP）方案退出RF GaN和LDMOS范畴，而Skyworks与Qorvo的官宣兼并，旨在打造一家大型美国RF企业，并整合制作产能。此外，我国正快速推进RF GaN价值链的本乡化，以天岳先进、能讯半导体、三安集成等本乡企业为引领，虽然地舆政治学危险持续存在，仍在扩展低本钱6英寸晶圆的产能。
在防务范畴，GaN的使用由MACOM、Qorvo、Raytheon、Northrop Grumman和我国电子科技集团主导，美国国防部信赖的ECO保持稳定，而RFHIC和稳懋半导体等厂商正朝全球防务商场拓宽。
在电信范畴，华为、爱立信（Ericsson）、诺基亚（Nokia）、中兴通讯和三星（Samsung）在基站布置方面占有主导地位，而制裁加快了我国国内RF GaN供给链的开展。向更高功率、根据模块的5G无线电的改变，正提高人们对具有本钱效益的GaN-on-Si的爱好，加重了其与GaN-on-SiC的竞赛，一起SiC晶圆商场仍较为会集，产能扩张受限。
凭仗高功率密度和杰出的热功能，GaN-on-SiC仍然是5G电信和国防范畴首选的RF技能。从4英寸向6英寸晶圆的过渡仍在持续，但发展比预期更为缓慢。与此一起，受小型基站布置和8英寸晶圆出产的推进，GaN-on-Si器材于2023年开端有限供给5G基站；假如电信需求和6G FR3的选用成为实际，到2030年代初有望转向12英寸晶圆。GaN-on-SiC仍是最老练的RF渠道，而GaN-on-Si正逐渐完成工业化，但一定要具有更强的本钱竞赛力。氮化铝衬底上氮化镓（GaN-on-AlN）和GaN-on-diamond受限于高本钱、制作复杂性以及绵长的认证周期，仍处于研制阶段。
